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Les MOSFET PowerTrench® de Fairchild Semiconductor augmentent l’efficacité système, la densité électrique des applications de rectification synchrones.

Date Communiqué de Presse : 3 juin 2011

Les circuits augmentent de 66% la figure de mérite par rapport aux précédents.
Paris — 1er juin 2011 — Pour les concepteurs qui ont besoin d’améliorer l’efficacité système et diminuer les composants dans des applications comme les convertisseurs AC-DC haute densité, le développement d’un système électrique moderne avec des vitesses de commutation rapides, très efficaces et avec une densité électrique est un élément important.

Afin d’aider les concepteurs à faire face à ce défi, Fairchild Semiconductor (NYSE:FCS), un des principaux fournisseurs de circuits de puissance et mobiles de hautes performances, vient d’agrandir sa gamme de MOSFET PowerTrench 100 et 150 V comprenant des boîtiers industriels (TO-220, D2PAK, TO247, I2PAK, TO220 Full Pack et D2PAK-7L).

Ces circuits, qui font partie du milieu de gamme des MOSFET, sont des commutateurs de puissance optimisés associant une petite charge de gate (QG), une petite charge en tension inverse (Qrr) et une diode en tension inverse soft qui permet de commuter rapidement pour la rectification synchrone des alimentations électriques AC-DC.

Ces circuits utilisent une structure shielded-gate qui fournit un équilibre de tension. Grâce à cette technologie, la figure de mérite (QG x RDS(ON)) est 66% moins élevée qu’avec les circuits précédents, de façon à ce que les concepteurs disposent d’une solution très efficace pour des applications comme la rectification synchrone des alimentations électriques AC-DC.

Une faible charge de tension inverse et la diode de tension inverse soft diminuent les pointes de voltages ou d’oscillation du système, éliminant ainsi un circuit snubber ou remplaçant un MOSFET d’un voltage plus élevé, ce qui améliorera l’efficacité et diminuera la nomenclature.

Les premiers circuits, disponibles en boîtiers industriels, sont les MOSFET PowerTrench N-channel FDP083N15A_F102, FDBB082N15A et FDP036N10A. Comme tous les MOSFET PowerTrench, ils offrent des vitesses de commutation rapides, de faibles charges de gate et des hautes performances pour un RDS(ON) extrêmement bas. De plus, ils sont compatibles RoHS et répondent aux lois sur l’environnement (boîtier sans plomb et halogène).

Ces nouveaux MOSFET PowerTrench viennent renforcer l’offre milieu de gamme de Fairchild et la gamme complète des MOSFET PowerTrench est indispensable pour obtenir une haute efficacité énergétique tout en répondant aux besoins de performances électrique et thermique de l’électronique d’aujourd’hui.

Prix (par quantité de 1000 pièces) :

FDP083N15A_F102 : 3,43 $ US
FDB082N15A : 3,45 $ US
FDP036N10A : 3,50 $ US

Datasheets en format PDF :
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDP083N15A_F102.pdf

http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDB082N15A.pdf

http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDP036N10A.pdf

À propos de Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS) est présent dans le monde entier avec des idées brillantes. Fairchild fournit des semiconducteurs innovants, basse consommation et à forte valeur ajoutée pour les applications de puissance et mobiles. Nous aidons nos clients à différencier leurs produits et à résoudre de véritables défis techniques grâce à notre expertise dans les produits d’alimentation et d’acheminement du signal.

Site web : www.fairchildsemi.com

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